新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术,IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本,简化了栅极驱动需求,从而节省了系统总体开销。此外,在大量的高频应用中,IRF740LC减少了转换损耗,效能得到强化。
TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
动态dv/dt率
可恢复性雪崩测定
快速转换速率
并行简易
仅需简单驱动
贴片安装-IRF740S、IRF740AS
可选卷带包装-IRF740S、IRF740AS
超低栅电荷-IRF740LC
增强VGS等级30V-IRF740LC
极高工作频率-IRF740LC
无铅环保
晶体管极性:N沟道
漏极电流,Id最大值:10A(at25℃)
电压,Vgs最大:20V
开态电阻,Rds(on):典型值0.48Ω(Vgs=10V,Id=5.3A)
电压,Vds最高:400V
功耗:2.5W
封装类型:TO220
针脚数:3
晶体管类型:MOSFET
满功率温度:25°C
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